常用电子元器件基础知识

TVS管,放电管,压敏电阻,自恢复保险丝

瞬态抑制二极管主要特性参数 TVS二极管产品特点

  瞬态抑制二极管主要特性参数、TVS二极管产品特点有哪些?这是很多对TVS二极管初学者来讲都是琢磨性的问题!那么就跟着小编的步伐来为这些朋友来解决这类问题吧!  瞬态抑制二极管主要特性参数:  ①反向断态电压(截止电压)VRWM与反向漏电流IR:反向断态电压(截止电压)VRWM表示TVS二极管不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。  ②击穿电压VBR:TVS二极管通过规定的测试电流IT时的电压,这是表示TVS二极管导通的标志电压(P4SMA、P6SMB、1.5SMC、P4KE

自恢复保险丝在直流充电桩中的应用

  随着电动汽车销量的一路攀升,国家对于充电配套设施建设的推进力度日渐增强,电动汽车充电桩建设以城市为中心,逐步向周边扩散,并优先建设新能源示范城市,通过合理布局,带动全国电动汽车充电桩建设发展。在电动汽车充电桩的发展过程中,安全问题涉及方方面面,不仅仅是设备安全的保护,包括使用过程的安全保护,对电动汽车的充电安全保护,以及对使用人的安全保护。充电桩具备漏电、短路、过压、欠压、过流等保护功能,确保充电桩安全可靠运行。    过流保护:很多电子设备都有个额定电流,不允许超过额定电流,不然会烧坏设备

ESD保护电路技术探析

  电路的ESD保护静电放电(ESD)是从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握的知识。很多开发人员往往会遇到这样的情形:实验室中开发的产品,测试 完全通过,但客户使用一段时间后,即会出现异常现象,故障率也不是很高。一般情况下,这些问题大多由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成。在电子产品的装配 和制造过程中,超过25%的半导体芯片的损坏归咎于ESD。随着微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,人们对静电放电的电磁场效应如电磁干扰 (EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。    电路设计工程师

钳位二极管与TVS二极管对等关系

  钳位二极管与TVS二极管对等关系:瞬态电压抑制二极(TVS管)又叫钳位二极管,是目前元器件行业普遍使用的一种高效能过压电路保护元器件,外型与普通二极管 相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。  TVS管的主要特点是:在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。瞬态电压抑制二极管允许的正向浪涌电流在TA=250C,T=10ms条件下,可达50~2

单双向tvs管的特性曲线

  瞬态抑制二极管TVS管目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流器、家用电器、仪器仪表(电度表)、RS232/422/423/485、 I/O、LAN、ISDN 、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF耦合/IC驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。   下面介绍的是单向tvs管和双向tvs管的特性曲线及说明:  VBR :崩溃电压

介绍几种常见tvs二极管的代换使用

  本篇介绍几种tvs管二极管的选用和代换使用,仅供大家参考。   整流二极管一般为平面型硅二极管,主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求,选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间

浅析TVS管短路失效的使用因素

  今天本篇为大家分析的是引起TVS管短路失效的使用因素和失效机理:  1、过电应力   当瞬态脉冲能量超过TVS管所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤,特别是当瞬态脉冲能量达到TVS管所能承受能量的数倍时就会直接导致TVS器件过电应力烧毁。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。  2、高温   当TVS管器件工作温度超过其最大允许工作温度时,短路失效通常发生在pn结表面。这是因为在高温条件下工作,表面可动离子的数量

对汽车电源线进行二次保护

  用于汽车电子初次保护的甩负荷TVS管有两类:外延型和非外延型。在反向偏置模式下,这两个产品组有相近的工作击穿特性。不同之处在于,外延性TVS管在正向模式下具有低正向压降(VF)特性,非外延型TVS管在同样条件下的VF相对高一些。这个特性对连到电源在线的负电压源很重要。大多数CMOS IC和LSI在反向电压特性都非常差。   MOSFET的栅极在-1V或更低的反向电压下也很脆弱。在反向电源输入模式中,电源线的电压域TVS VF的电压相同。这种反向偏置模式会引起电子线路的故障。EPI PAR

tvs管应用于保护汽车电子产品

  瞬态抑制二极管tvs管是用于保护汽车电子产品的理想方案,有些参数对这些应用来说非常重要,包括功率等级、关态电压、击穿电压、最大击穿电压。下面是这些参数的定义,供大家参考。  TVS管的功率等级是在一定测试或应用条件下吸收浪涌的能力。10 μs/1000 μs脉冲波形(Bellcore 1089标准)的行业标准测试条件。这个测试条件不同于TVS瞬态电压吸收能力的测试条件,吸收能力的测试采用8 μs/20 μs脉冲波形。  击穿电压是器件进入雪崩击穿的电压,采用数据表上的特定电流条件下进行测试。

硬件电路设计的注意事项

  本篇为大家介绍的是硬件电路设计之电源模块注意事项,如下:   1、注意反接保护,否则电源反接电路报废。可用MOS管防反接电路、tvs管串接等方案。   2、注意过压保护,否则电源过大直接烧坏电路模块。可用稳压管、双向TVS管,如SMAJ5.0CA。   3、注意电源隔离在有些情况下,需要输入电源与核心电路板电源隔离以保证核心电路板的安全。可用隔离电源稳压芯片,如B2405LS-1W。   4、注意过流保护。可用自恢复保险丝系列、传统一次性熔断系类保险丝等。   TVS器件主要由芯片、电极系

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